“芯”火燎原 ▏中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线

2023-12-01 18:02:40 发布于：北京市

　　11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩSiCMOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构，具有独立自主的知识产权、自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。

　　中汽创智CEO李丰军、硬件系统开发部总经理林湖，积塔半导体执行董事李晋湘、总经理周华、副总经理刘建华，长沙金维信息技术有限公司董事长刘彦，西南集成电路设计有限公司副总经理陈隆章等出席了下线仪式，共同见证了中汽创智和积塔半导体的战略合作签约。

　　李丰军表示，中汽创智承担着国家自主创新的历史使命，而第三代半导体SiC技术则是新能源汽车的关键核心领域，此次成功流片是实现芯片能力自主突破的里程碑事件，也预示着双方密切合作的良好开端。实现国产芯片的能力自主必将充满艰难与挑战，中汽创智愿与上下游产业链通力合作，逐步树立起芯片自主能力落地的标杆，成为产业合作的优秀典范。

　　首批自主研发的1200V 20mΩ SiCMOSFET成功下线，标志着中汽创智“中国芯”战略迈上新台阶。中汽创智通过以SiC模块为切入点，快速形成SiC功率模块封装、测试能力和基于SiC技术的车载集成电源系统开发能力，逐步建立起从上游芯片设计、模块封装，到下游应用支持的“一站式” 能力。此次与积塔半导体正式签署战略合作，进一步拉通了第三代半导体上下游资源，为中汽创智稳步实施虚拟IDM战略，实现车规级芯片自主研发和制造奠定坚实基础。